Pengertian NAND Flash Memory (Memori Flash NAND) dan Jenis-jenisnya

Pengertian NAND Flash Memory dan jenis-jenisnya

Pengertian NAND Flash Memory (Memori Flash NAND) dan Jenis-jenisnya – NAND Flash Memory adalah jenis teknologi penyimpanan yang bersifat non-volatile yaitu memori yang tidak memerlukan daya untuk mempertahankan datanya yang telah disimpannya. Memori atau tempat penyimpanan seperti ini dapat menyimpan data untuk jangka waktu yang lama tanpa merusak data-data yang terdapat didalamnya.

Memori Flash NAND dikembangkan oleh perusahaan Jepang yang terkenal yaitu Toshiba pada tahun 1989. Fujio Masuoka adalah insinyur terkemuka yang menciptakan memori flash jenis ini dengan rekan-rekannya dalam tim pengembangan.  Tujuan penting pengembangan NAND Flash ini adalah untuk mengurangi biaya per bit dan meningkatkan kapasitas maksimum chip sehingga memori flash dapat bersaing dengan perangkat penyimpanan magnetik, seperti hard disk.

Memori jenis NAND Flash ini ditemukan di sebagian besar perangkat digital saat ini seperti USB Drive, SSD, kamera digital, smartphone, tablet dan laptop. Memori flash NAND menawarkan kecepatan baca dan tulis yang cepat, serta penyimpanan berkapasitas tinggi.
Baca juga : Pengertian Memori Semikonduktor dan Jenis-jenisnya.

Jenis-jenis NAND Flash

Berikut ini adalah jenis-jenis NAND Flash :

SLC

SLC adalah singkatan dari single-level-cell. Sepeti namanya, SLC merupakan NAND Flash model lama yang hanya dapat menyimpan 1 bit per sel. SLC memiliki daya tahan tertinggi tetapi juga merupakan jenis penyimpanan flash NAND termahal.

MLC

Kepanjangan dari MLC adalah Multi-Level Cell, setiap MLC dapat menyimpan 2 bit per sel. MLC ini memiliki daya tahan yang lebih rendah daripada SLC karena siklus tulis dan hapus terjadi dua kali lebih banyak daripada SLC. Namun, MLC lebih murah dan banyak digunakan di PC (Personnel Computer)

TLC

TLC adalah singkatan dari Triple-Level Cell. Seperti namanya, setiap sel dapat menyimpan 3 bit memori,. Banyak produk tingkat konsumen yang menggunakan TLC ini karena lebih murah, namun kinerjanya lebih rendah.

QLC

Kepanjangan dari QLC adalah Quad-Level Cell yang dapat menyimpan 4 bit per sel. QLC memiliki daya tahan yang lebih rendah dan umumnya lebih murah.

Memori Flash NAND 2D

Dalam jenis memori ini, sel penyimpanan ditumpuk secara horizontal membuat matriks dua dimensi. Jenis modul memori dan penyimpanan ini tidak diproduksi secara massal karena sel horizontal membutuhkan lebih banyak ruang fisik sehingga ukuran chip meningkat. Karenanya, 2D NAND Flash memiliki skalabilitas.

Flash NAND 2D lebih murah daripada Flash NAND 3D. Flash NAND 2D memiliki Waktu Latensi yang tinggi, tetapi menggunakan daya kurang lebih 50% lebih sedikit daripada NAND 3D. Flash NAND jenis ini memiliki lebih banyak Kontrol Flash daripada yang 3D.

Memori Flash NAND 3D

Dalam flash NAND 3D, ruang disimpan dengan menyusun sel memori secara vertikal dalam matriks tiga dimensi. Teknik pembuatan chip penyimpanan Memori NAND ini menghemat banyak ruang fisik, membuat chip lebih kecil.

Ini juga memungkinkan pabrikan untuk meningkatkan kapasitas memori dengan mengurangi ukuran chip. Inilah alasan mengapa Flash NAND 3D lebih mahal daripada memori flash 2D. Sangat sulit dan mahal untuk membuat memori 3D NAND.